三星首款3nm芯片量产，功耗降低50%！外媒：台积电并不担心！

但可惜的是，这些半导体代工厂与台积电的差距正在持续扩大，三星就是很典型的例子。

三星为了在半导体行业快速发展，以实现反超台积电，此前就决定要在2030年前持续投入1160亿美元，以实现在3nm制程上赶超台积电，并计划在2025年实现芯片制造方面的领先。

这两年三星半导体也没有辜负如此巨大的投入，2020年开始量产5nm工艺，2021年又量产4nm工艺，而现在三星又将制程工艺推向了3nm水平。

日前有报道称，三星3nm工艺已经实现量产，并且良率也已大幅改善，这意味着三星的3nm工艺实现量产，确实赶在了台积电的前面。

媒体报道称，美总统近日参观了位于平泽市附近的三星芯片工厂，这是目前全球唯一可以量产3nm工艺的晶圆厂，而且三星还首次公开了3nm制程工艺的12英寸晶圆。

对于三星而言，3nm将是他们押注芯片工艺赶超台积电的关键节点，因为台积电的3nm工艺不会采用下一代的GAA晶体管技术，而三星却采用了最新的技术。

据了解，GAA是一种新型的环绕栅极晶体管，通过纳米片设备可制造出多桥-通道场效应管MBCFET，该技术可以显著增强晶体管性能，将用于取代FinFET晶体管技术。

按照三星官方介绍，3nm GAA技术相比7nm制程工艺来说，逻辑面积效率提高了45%以上，功耗降低了50%，性能提高了约35%。

所以从纸面参数来看，三星的3nm技术是优于台积电3nm FinFET工艺的，不过外媒却对此泼了一盆冷水，外媒认为台积电并不担心三星的3nm工艺。

因为去年在4nm工艺节点量产上，三星是早于台积电的，毕竟首款采用台积电4nm工艺的芯片到今年2月才开始销售，而采用三星4nm工艺的骁龙8 Gen1早在去年年底就在售了。

但抢先并不意味着领先，在4nm节点上三星就比台积电差很多，骁龙8 Gen1无论是在性能还是在功耗上，都没有采用台积电4nm工艺的天玑9000芯片稳定。

再就是三星的新工艺此前还爆出良率只有35%，而且芯片发热问题很严重，这就直接吓跑了一些大客户，包括英伟达及高通等客户。

最近高通发布的骁龙8+芯片就是采用的台积电4nm工艺，得益于台积电工艺的加持，这颗芯片升级幅度非常明显，官方表示CPU和GPU性能均有10%的提升，同时综合功耗降低了15%。

从这个升级幅度可以看出，台积电确实在制程工艺上有着绝对的优势，这也是外媒认为台积电并不担心的原因所在。

另外，台积电还有一个更有底气的因素，就是几乎所有大客户都被其拿下了，包括苹果、AMD、联发科等，现在高通和英伟达又重新回归，再加上与英特尔达成了合作，这些都反映出了台积电的势不可当。

而且台积电的投入也要远甩三星半导体一条街，前面提到三星计划在未来十年，持续投入1160亿美元，但台积电的计划是2022年的投入规模便高达400-440亿美元。

值得一提的是，2021年台积电计划投入250-280亿美元，但实际支出了300亿美元。

按照计划，台积电今年投入的七八成将用于投资2nm等先进制程，一成用于先进封装等，其余则用于成熟制程的投资。

所以在外界看来，台积电未来将势不可当，三星早已不足为患。那么你觉得三星有机会超越台积电吗，欢迎评论、点赞、分享，谈谈你的看法。