三星首款3nm芯片量产,功耗降低50%!外媒:台积电并不担心!

转载 网络  2022-05-24 10:47:35  阅读 519 次 评论 0 条

但可惜的是,这些半导体代工厂与台积电的差距正在持续扩大,三星就是很典型的例子。

三星首款3nm芯片量产,功耗降低50%!外媒:台积电并不担心!  消费与科技 第1张

三星为了在半导体行业快速发展,以实现反超台积电,此前就决定要在2030年前持续投入1160亿美元,以实现在3nm制程上赶超台积电,并计划在2025年实现芯片制造方面的领先。

这两年三星半导体也没有辜负如此巨大的投入,2020年开始量产5nm工艺,2021年又量产4nm工艺,而现在三星又将制程工艺推向了3nm水平。

日前有报道称,三星3nm工艺已经实现量产,并且良率也已大幅改善,这意味着三星的3nm工艺实现量产,确实赶在了台积电的前面。

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媒体报道称,美总统近日参观了位于平泽市附近的三星芯片工厂,这是目前全球唯一可以量产3nm工艺的晶圆厂,而且三星还首次公开了3nm制程工艺的12英寸晶圆。

对于三星而言,3nm将是他们押注芯片工艺赶超台积电的关键节点,因为台积电的3nm工艺不会采用下一代的GAA晶体管技术,而三星却采用了最新的技术。

据了解,GAA是一种新型的环绕栅极晶体管,通过纳米片设备可制造出多桥-通道场效应管MBCFET,该技术可以显著增强晶体管性能,将用于取代FinFET晶体管技术。

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按照三星官方介绍,3nm GAA技术相比7nm制程工艺来说,逻辑面积效率提高了45%以上,功耗降低了50%,性能提高了约35%。

所以从纸面参数来看,三星的3nm技术是优于台积电3nm FinFET工艺的,不过外媒却对此泼了一盆冷水,外媒认为台积电并不担心三星的3nm工艺。

因为去年在4nm工艺节点量产上,三星是早于台积电的,毕竟首款采用台积电4nm工艺的芯片到今年2月才开始销售,而采用三星4nm工艺的骁龙8 Gen1早在去年年底就在售了。

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但抢先并不意味着领先,在4nm节点上三星就比台积电差很多,骁龙8 Gen1无论是在性能还是在功耗上,都没有采用台积电4nm工艺的天玑9000芯片稳定。

再就是三星的新工艺此前还爆出良率只有35%,而且芯片发热问题很严重,这就直接吓跑了一些大客户,包括英伟达及高通等客户。

最近高通发布的骁龙8+芯片就是采用的台积电4nm工艺,得益于台积电工艺的加持,这颗芯片升级幅度非常明显,官方表示CPU和GPU性能均有10%的提升,同时综合功耗降低了15%。

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从这个升级幅度可以看出,台积电确实在制程工艺上有着绝对的优势,这也是外媒认为台积电并不担心的原因所在。

另外,台积电还有一个更有底气的因素,就是几乎所有大客户都被其拿下了,包括苹果、AMD、联发科等,现在高通和英伟达又重新回归,再加上与英特尔达成了合作,这些都反映出了台积电的势不可当。

而且台积电的投入也要远甩三星半导体一条街,前面提到三星计划在未来十年,持续投入1160亿美元,但台积电的计划是2022年的投入规模便高达400-440亿美元。

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值得一提的是,2021年台积电计划投入250-280亿美元,但实际支出了300亿美元。

按照计划,台积电今年投入的七八成将用于投资2nm等先进制程,一成用于先进封装等,其余则用于成熟制程的投资。

所以在外界看来,台积电未来将势不可当,三星早已不足为患。那么你觉得三星有机会超越台积电吗,欢迎评论、点赞、分享,谈谈你的看法。

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