三星3nm工厂即将动工：全球首发GAA工艺 功耗直降50%

虽然在7nm、5nm及4nm节点上落后了一些，但在接下来的3nm节点三星更激进，要全球首发GAA晶体管工艺，放弃FinFET晶体管技术，而台积电的3nm工艺依然会基于FinFET工艺。

三星之前表示，GAA是一种新型的环绕栅极晶体管，通过使用纳米片设备制造出了MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET，多桥-通道场效应管），该技术可以显著增强晶体管性能，主要取代FinFET晶体管技术。

根据三星的说法，与7nm制造工艺相比，3nm GAA技术的逻辑面积效率提高了45%以上，功耗降低了50%，性能提高了约35%，纸面参数上来说却是要优于台积电3nm FinFET工艺。

当然，这些还是纸面上的，三星的3nm工艺挑战也不少，光是量产就是个问题，之前三星宣传2021年就量产，实际上并没有，最快也是今年，而且首发的是3GAE低功耗工艺，高性能的3GAP工艺至少要2023年了。

据韩国媒体报道，三星已经准备在韩国平泽市的P3工厂开工建设3nm晶圆厂了，6、7月份动工，并及时导入设备。

按照这个进度，今年的3GAE工艺应该也只会是小规模试产，大规模量产也要到明年了，跟台积电的3nm工艺差不多，两家都因为种种问题延期量产3nm工艺了。